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    圖3給出了不同磁場(chǎng)下樣品的巨磁阻抗效應(yīng)與頻率之間的關(guān)系。在不同的外加磁場(chǎng)Ha下，磁阻抗比先隨頻率的增高而增大，達(dá)到最大值后又隨頻率的增高而下降。對(duì)于不同的外加磁場(chǎng)，出現(xiàn)磁阻抗比最大值的頻率是不同的。例如在頻率3MHz時(shí)，當(dāng)磁場(chǎng)Ha=1200、1600和2000A/m時(shí)，磁阻抗比的最大值分別為15.6%、17.2%及12.8%。當(dāng)Ha=2400A/m時(shí)，出現(xiàn)磁阻抗比最大值的頻率為5MHz，其值為9.1％。當(dāng)磁場(chǎng)Ha=4000A/m時(shí)，出現(xiàn)磁阻抗比最大值的頻率移到10MHz。     一般情況下，人們只關(guān)心磁場(chǎng)施加在薄膜縱向時(shí)的巨磁阻抗效應(yīng)，即縱向巨磁阻抗效應(yīng)。我們研究了當(dāng)電流沿薄膜的縱向、磁場(chǎng)施加在薄膜的橫向情況下的巨磁阻抗效應(yīng)，即橫向巨磁阻抗效應(yīng)。圖4給出了不同頻率下FeSiB/Cu/FeSiB夾心薄膜橫向巨磁阻抗效應(yīng)與外加磁場(chǎng)之間的關(guān)系?？梢钥闯?，一開(kāi)始夾心薄膜的橫向磁阻抗比隨磁場(chǎng)的增大而增大，在磁場(chǎng)約為1600A/m時(shí)達(dá)到最大值，之后又隨磁場(chǎng)的增大下降到負(fù)的磁阻抗比，且隨磁場(chǎng)的增大而絕對(duì)值增大，即在磁場(chǎng)的作用下，薄膜的磁阻抗隨磁場(chǎng)的增大而減小。這一現(xiàn)象可用Sommer等3的退磁場(chǎng)觀點(diǎn)來(lái)解釋。在頻率3MHz、磁場(chǎng)為1600A/m和5600A/m時(shí)，磁阻抗比分別為3.5％和-13.4％。對(duì)于具有完全橫向磁各向異性的薄膜，當(dāng)磁場(chǎng)施加在薄膜的橫向時(shí)，早期報(bào)道的巨磁阻抗效應(yīng)為負(fù)值，且隨磁場(chǎng)的增大而絕對(duì)值增大。然而，在我們的實(shí)驗(yàn)里，磁阻抗比有一小的正的峰值，這表明薄膜的易軸與薄膜的縱向并不呈90℃。另外，在單層鐵磁薄膜中，出現(xiàn)巨磁阻抗效應(yīng)最大值的頻率通常在80MHz以上，而在幾十微米厚的非晶帶中，出現(xiàn)巨磁阻抗效應(yīng)最大值的頻率在IMHz以下。這里，在FeSiB/Cu/FeSiB夾心薄膜中，出現(xiàn)磁阻抗比最大值的頻率為3MHz左右，比文獻(xiàn)(45)習(xí)報(bào)道的頻率要低。    為了說(shuō)明FeSiB/Cu/FeSiB夾心薄膜中負(fù)的巨磁阻抗效應(yīng)，我們測(cè)量了FeSiB單層膜中不同的易軸取向?qū)薮抛杩剐?yīng)的影響。實(shí)驗(yàn)條件為：交流電流和外加磁場(chǎng)沿薄膜的縱向，頻率和幅值分別為40MHz和10mA，樣品的尺寸約為3mm×20mm×1.8μm。     圖5給出了FeSiB薄膜中不同的易軸取向?qū)薮抛杩剐?yīng)的影響。曲線(a)、(b)和(c)代表薄膜的易軸與橫向的角度分別為0。、45。和900?？梢钥闯?，巨磁阻抗效應(yīng)最大值的大小、出現(xiàn)最大值的磁場(chǎng)及負(fù)的巨磁阻抗效應(yīng)與單層FeSiB薄膜的易軸取向有密切的關(guān)系，F(xiàn)eSiB膜中易軸的取向必然影響到FeSiB/Cu/FeSiB夾心薄膜中巨磁阻抗效應(yīng)的最大值、負(fù)的巨磁阻抗效應(yīng)及出現(xiàn)巨磁阻抗效應(yīng)最大值的磁場(chǎng)。由此可對(duì)夾心薄膜中存在的負(fù)巨磁阻抗效應(yīng)及巨磁阻抗效應(yīng)最大值的幅值做出解釋。另外，結(jié)果還表明，如果單層FeSiB薄膜不具有單軸磁各向異性，在1～40MHz內(nèi)巨磁阻抗效應(yīng)小于1％。因此，單軸磁各向異性是薄膜材料中獲得較大巨磁阻抗效應(yīng)的必要條件之一。    四、結(jié) 論    在100kHz～40MHz范圍內(nèi)研究了非晶FeSiB/Cu/FeSiB夾心薄膜中的巨磁阻抗效應(yīng)。當(dāng)磁場(chǎng)和交流電流沿薄膜的縱向時(shí)，磁阻抗比隨磁場(chǎng)的增大而增大，在某一磁場(chǎng)下達(dá)到最大值，然后隨磁場(chǎng)的進(jìn)一步增大而下降到負(fù)的磁阻抗比。在頻率3MHz、磁場(chǎng)1600Mm時(shí)，磁阻抗比達(dá)到最大值17.2％。磁阻抗比的最大值及負(fù)的磁阻抗比與夾心薄膜中磁各向異性軸的取向有關(guān)。另外，當(dāng)磁場(chǎng)施加在薄膜的橫向時(shí)，薄膜表現(xiàn)出負(fù)的磁阻抗比，在頻率3MHz、磁場(chǎng)5600A/m時(shí)，磁阻抗比達(dá)-13.4%。(作者/周 勇 陳吉安 楊春生 高孝裕 王明軍 張亞民)中國(guó)真空網(wǎng)