阿爾卑斯電氣和North日前宣布，正在聯(lián)合開發(fā)在LSI封裝的內(nèi)部底板中封裝高電容率薄膜電容器（Thin Film Capacitor）的技術(shù)。目標(biāo)是三年內(nèi)將其應(yīng)用于產(chǎn)品中。阿爾卑斯電氣認(rèn)為“工作頻率在數(shù)GHz～10GHz以上的高速邏輯LSI必須使用這種技術(shù)”。
此次開發(fā)的技術(shù)就是指將過去封裝在LSI封裝外部的去耦電容器（Decoupling Capacitor）封裝到內(nèi)部。由此將會(huì)最大限度地縮短電容器與倒裝芯片之間的距離。由于封閉內(nèi)部布線的寄生感應(yīng)（Parasitic Inductance）減小了，因此開關(guān)時(shí)就可迅速向倒裝芯片供應(yīng)電荷。結(jié)果就能使電源電壓更加穩(wěn)定。
面向微處理器和芯片組的電容器內(nèi)置型底板的試產(chǎn)已經(jīng)完成。即將開始客戶測(cè)試。底板中內(nèi)置的薄膜電容器的材料和相對(duì)電容率 （Relative Permittivity）沒有公布。“在薄膜電容器的容量方面，尚未達(dá)到完全滿足客戶要求的水平。不過，可在將來產(chǎn)品中使用了材料方面已經(jīng)有了眉目”（阿爾卑斯電氣）。
據(jù)阿爾卑斯電氣稱，之所以選擇North進(jìn)行聯(lián)合開發(fā)，原因是該公司的印刷電路板技術(shù)非常適合高速LSI。因?yàn)镹orth的技術(shù)在布線層之間的連接材料上使用的是非焊膏材料的散裝銅焊接凸起。比如“ALIVH”和“B2it”等現(xiàn)有印刷電路板，布線層之間的連接材料分別使用的是銅和銀類焊膏材料。普通焊膏材料的電阻率比散裝金屬材料高數(shù)十倍。在保持相同的感應(yīng)和電容條件下，電阻率越高、信號(hào)延遲時(shí)間就越長(zhǎng)。因此就很難進(jìn)行高速傳輸。
來源：中國(guó)機(jī)電網(wǎng)
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